Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 4.4 A 2.1 W, 4-Pin SOT-223

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304-44-473
Herst. Teile-Nr.:
IRLL024NTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

100mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.4nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.7mm

Breite

3.7 mm

Höhe

1.739mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon


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