Infineon HEXFET Fifth Generation Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 1.9 A 2.1 W SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 257-5538
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-532
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFL014NTRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 304-40-532
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- IRFL014NTRPBF
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET Fifth Generation | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.16Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | Lead-Free | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie HEXFET Fifth Generation | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.16Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen Lead-Free | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist ein HEXFET der fünften Generation von International Rectifier, der fortschrittliche Verarbeitungstechniken verwendet, um extrem niedrige Werte zu erreichen.
Planare Zellstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten
Industriestandardgehäuse für Oberflächenmontage
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