Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 1.6 A 1 W IRFL4310TRPBF SOT-223

RS Best.-Nr.:: 257-9394
Herst. Teile-Nr.:: IRFL4310TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 1.6 A 1 W IRFL4310TRPBF SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 257-9394
Herst. Teile-Nr.:: IRFL4310TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	SOT-223
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	15mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd	1W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	17nC
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	Lead-Free
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße SOT-223
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd 1W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen Lead-Free
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFL4310TRPBF

Die IRFL-Serie von Infineon ist ein 100-V-Einfach-N-Kanal-IR-Mosfet in einem SOT-223-Gehäuse. Die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie z. B. Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Industriestandard-Abmessungen für einfache Konstruktion erhältlich.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 1.6 A 1 W IRFL4310TRPBF SOT-223

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