Infineon HEXFET Fifth Generation Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 1.9 A 2.1 W SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 257-5817
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFL014NTRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.2.12
Auf Lager
- Zusätzlich 4'600 Einheit(en) mit Versand ab 08. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 + | CHF.0.212 | CHF.2.15 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5817
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFL014NTRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET Fifth Generation | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.16Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | Lead-Free | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie HEXFET Fifth Generation | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.16Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen Lead-Free | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist ein HEXFET der fünften Generation von International Rectifier, der fortschrittliche Verarbeitungstechniken verwendet, um extrem niedrige Werte zu erreichen.
Planare Zellstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten
Industriestandardgehäuse für Oberflächenmontage
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Fifth Generation Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 1.9 A 2.1 W SOT-223
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 5.2 A 2.1 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 4.4 A 2.1 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 2.8 A 2.1 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 55 V / 5 A SOT-223
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 1.6 A 1 W SOT-223
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 2.8 A, 4-Pin SOT-223
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 5.1 A, 4-Pin SOT-223