Infineon HEXFET Fifth Generation Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 1.9 A 2.1 W SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 257-5817
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFL014NTRPBF
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IRFL014NTRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET Fifth Generation | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.16Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | Lead-Free | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie HEXFET Fifth Generation | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.16Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen Lead-Free | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist ein HEXFET der fünften Generation von International Rectifier, der fortschrittliche Verarbeitungstechniken verwendet, um extrem niedrige Werte zu erreichen.
Planare Zellstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten
Industriestandardgehäuse für Oberflächenmontage
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