Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 4.4 A 2.1 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 168-8745
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLL024NTRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 168-8745
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLL024NTRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.7 mm | |
| Höhe | 1.739mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.7 mm | ||
Höhe 1.739mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon
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