Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 5.1 A, 4-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
262-6766
Herst. Teile-Nr.:
IRFL024ZTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.075Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieses Design verfügt über zusätzliche Merkmale wie 175 °C-Betriebstemperatur an der Verbindung, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte wiederholte Lawinenbelastbarkeit.

Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig

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