Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 55 V / 5 A SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

CHF.525.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 29. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 - 2500CHF.0.21CHF.532.88
5000 +CHF.0.20CHF.504.00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
258-3996
Herst. Teile-Nr.:
IRLL024ZTRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind eine Betriebstemperatur an der Verbindung, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Wiederholungs-Avalanche-Nennleistung. Diese Merkmale machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Erweiterte Prozesstechnologie

Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Logikpegel-Gate-Antrieb

Betriebstemperatur: 150 °C

Schnelles Schalten

Wiederholbare Avalanche Zulässig bis Tjmax

Verwandte Links