Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 250 V / 46 A IRFB4229PBF TO-220

RS Best.-Nr.:: 257-9347
Herst. Teile-Nr.:: IRFB4229PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 250 V / 46 A IRFB4229PBF TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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20 - 48	CHF.3.108	CHF.6.21
50 - 98	CHF.2.898	CHF.5.80
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200 +	CHF.2.478	CHF.4.97

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RS Best.-Nr.:: 257-9347
Herst. Teile-Nr.:: IRFB4229PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	46A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	15mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	72nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	10 V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 72nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 10 V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFB4229PBF

Die IRFB-Serie von Infineon ist ein 250-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem TO 220-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Durchgangsbohrungs-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

Breites Portfolio verfügbar

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 250 V / 46 A IRFB4229PBF TO-220

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