Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 60 A 390 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 495-562
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4332PBF
- Marke:
- Infineon
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- IRFB4332PBF
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 33mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 99nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 390W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Länge | 10.66mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 99nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 390W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.02mm | ||
Länge 10.66mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 60A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 390W maximale Verlustleistung - IRFB4332PBF
Dieser MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen in der Automatisierung und Elektronik konzipiert. Durch den Einsatz der fortschrittlichen HEXFET-Technologie gewährleistet er optimale Effizienz und Zuverlässigkeit in kritischen Umgebungen. Das Gerät zeichnet sich durch robuste Spezifikationen in Kombination mit einem benutzerfreundlichen Design aus und eignet sich daher für eine Reihe von industriellen Anwendungen. Sein effektiver Betrieb unter rauen Bedingungen entspricht den Anforderungen moderner elektronischer Systeme.
Eigenschaften und Vorteile
• N-Kanal-Konfiguration unterstützt effizienten Stromfluss
• Ein kontinuierlicher Ableitstrom von 60 A ermöglicht eine starke Leistung
• Hohe Spannungskapazität von bis zu 250 V erhöht die Vielseitigkeit
• Niedriger Einschaltwiderstand erhöht die Effizienz und minimiert die Wärmeentwicklung
• Enhancement-Mode-Betrieb verbessert die Stabilität für digitale Anwendungen
• Hohe Verlustleistung trägt zur Zuverlässigkeit unter Last bei
Anwendungsbereich
• Einsatz in Energierückgewinnungssystemen zur Steigerung der Effizienz
• Geeignet für Durchgangsschalter wo der Platz begrenzt ist
• Wird in Plasmabildschirmen zur Leistungssteigerung eingesetzt
• Ideal für Automatisierungssteuerungen, die einen anhaltend hohen Strom benötigen
Wie groß ist der Temperaturbereich für einen optimalen Betrieb?
Das Gerät arbeitet effektiv zwischen -40°C und +175°C und kann somit unter verschiedenen Umgebungsbedingungen eingesetzt werden.
Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf die Leistung aus?
Mit einer Schwellenspannung zwischen 3V und 5V ermöglicht er eine präzise Steuerung in Schaltanwendungen.
Kann es hohe Impulsströme verarbeiten?
Ja, das Design ermöglicht gepulste Ableitströme, die unter bestimmten Bedingungen 230 A betragen können, was für transiente Anwendungen von Vorteil ist.
Was sind die Anforderungen an das Wärmemanagement?
Um eine optimale Leistung aufrechtzuerhalten, sollten angemessene Kühlmaßnahmen ergriffen werden, wobei eine maximale Verlustleistung von 390 W zu berücksichtigen ist.
Ist sie mit verschiedenen Montagekonfigurationen kompatibel?
Das TO-220AB-Gehäuse ermöglicht eine unkomplizierte Durchsteckmontage, was die Kompatibilität mit verschiedenen Schaltungsdesigns verbessert.
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