Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 60 A 390 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.2.594

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1’781 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.2.59
10 - 24CHF.2.48
25 - 49CHF.2.35
50 - 99CHF.2.27
100 +CHF.2.11

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
495-562
Herst. Teile-Nr.:
IRFB4332PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

33mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

99nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

390W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.66mm

Breite

4.82 mm

Höhe

9.02mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 60A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 390W maximale Verlustleistung - IRFB4332PBF


Dieser MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen in der Automatisierung und Elektronik konzipiert. Durch den Einsatz der fortschrittlichen HEXFET-Technologie gewährleistet er optimale Effizienz und Zuverlässigkeit in kritischen Umgebungen. Das Gerät zeichnet sich durch robuste Spezifikationen in Kombination mit einem benutzerfreundlichen Design aus und eignet sich daher für eine Reihe von industriellen Anwendungen. Sein effektiver Betrieb unter rauen Bedingungen entspricht den Anforderungen moderner elektronischer Systeme.

Eigenschaften und Vorteile


• N-Kanal-Konfiguration unterstützt effizienten Stromfluss

• Ein kontinuierlicher Ableitstrom von 60 A ermöglicht eine starke Leistung

• Hohe Spannungskapazität von bis zu 250 V erhöht die Vielseitigkeit

• Niedriger Einschaltwiderstand erhöht die Effizienz und minimiert die Wärmeentwicklung

• Enhancement-Mode-Betrieb verbessert die Stabilität für digitale Anwendungen

• Hohe Verlustleistung trägt zur Zuverlässigkeit unter Last bei

Anwendungsbereich


• Einsatz in Energierückgewinnungssystemen zur Steigerung der Effizienz

• Geeignet für Durchgangsschalter wo der Platz begrenzt ist

• Wird in Plasmabildschirmen zur Leistungssteigerung eingesetzt

• Ideal für Automatisierungssteuerungen, die einen anhaltend hohen Strom benötigen

Wie groß ist der Temperaturbereich für einen optimalen Betrieb?


Das Gerät arbeitet effektiv zwischen -40°C und +175°C und kann somit unter verschiedenen Umgebungsbedingungen eingesetzt werden.

Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf die Leistung aus?


Mit einer Schwellenspannung zwischen 3V und 5V ermöglicht er eine präzise Steuerung in Schaltanwendungen.

Kann es hohe Impulsströme verarbeiten?


Ja, das Design ermöglicht gepulste Ableitströme, die unter bestimmten Bedingungen 230 A betragen können, was für transiente Anwendungen von Vorteil ist.

Was sind die Anforderungen an das Wärmemanagement?


Um eine optimale Leistung aufrechtzuerhalten, sollten angemessene Kühlmaßnahmen ergriffen werden, wobei eine maximale Verlustleistung von 390 W zu berücksichtigen ist.

Ist sie mit verschiedenen Montagekonfigurationen kompatibel?


Das TO-220AB-Gehäuse ermöglicht eine unkomplizierte Durchsteckmontage, was die Kompatibilität mit verschiedenen Schaltungsdesigns verbessert.

Verwandte Links