Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 190 A 220 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 688-6813
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1404ZPBF
- Marke:
- Infineon
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| 2 - 18 | CHF 2.222 | CHF 4.43 |
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| 50 - 98 | CHF 1.636 | CHF 3.27 |
| 100 - 198 | CHF 1.535 | CHF 3.07 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 688-6813
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1404ZPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 190A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 100nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 220W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.54mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.69mm | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 190A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 100nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 220W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.54mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.69mm | ||
Höhe 8.77mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 180A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 40V maximale Drain-Source-Spannung - IRF1404ZPBF
Dieser MOSFET ist ein Hochleistungs-Leistungsbauteil, das für eine Vielzahl von Anwendungen im Automobil- und Industriesektor entwickelt wurde. Mit einem robusten Drain-Dauerstrom von 180 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40 V eignet er sich hervorragend für anspruchsvolle Umgebungen. Der TO-220AB-Gehäusetyp erleichtert die Montage und gewährleistet eine effiziente Integration in elektronische Schaltungen und Systeme.
Eigenschaften und Vorteile
• Verwendet HEXFET-Technologie für verbesserte Effizienz
• Entwickelt für den Anreicherungsmodus zur Optimierung der Schaltvorgänge
• Bietet eine hohe Schaltgeschwindigkeit zur Steigerung der Gesamteffizienz
• Fähigkeit zu wiederholter Lawinenbildung zur Erhöhung der Zuverlässigkeit
Anwendungen
• Ideal für die Verwendung in Motorsteuerungsschaltungen
• Verwendet in Stromversorgungen und Umrichtern
• Entwickelt für den Einsatz in der Automobilindustrie
• Geeignet für verschiedene industrielle Automatisierungssysteme
• Effizientes Energiemanagement und Schalten
Welchen Nutzen hat der geringe On-Widerstand für meine Anwendungen?
Der niedrige Durchlasswiderstand von 2,7 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert so den Gesamtwirkungsgrad in Leistungsumwandlungs- und Energiemanagementsystemen.
Was passiert, wenn das Gerät seine maximale Betriebstemperatur überschreitet?
Eine Überschreitung der maximalen Betriebstemperatur von +175°C kann zu Leistungseinbußen und möglichen Ausfällen führen, was die Notwendigkeit eines angemessenen Wärmemanagements unterstreicht.
Kann dies in parallelen Konfigurationen verwendet werden?
Ja, bei parallelen Konfigurationen ist es wichtig, den Strom zwischen den Geräten gleichmäßig zu verteilen, um Überhitzung zu vermeiden und die Leistung zu maximieren.
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