Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 75 V / 87 A TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 257-9369
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB7740PBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.05 | CHF.10.24 |
| 50 - 120 | CHF.1.757 | CHF.8.80 |
| 125 - 245 | CHF.1.656 | CHF.8.29 |
| 250 - 495 | CHF.1.535 | CHF.7.69 |
| 500 + | CHF.1.434 | CHF.7.17 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9369
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB7740PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 87A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 87A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFB-Serie von Infineon ist ein 75-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem TO 220-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.
Durchgangsbohrungs-Leistungsgehäuse nach Industriestandard
Hoher Nennstrom
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation
Breites Portfolio verfügbar
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