Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 75 A, 3-Pin IRFB7546PBF TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.3.78

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Begrenzter Lagerbestand
  • Zusätzlich 965 Einheit(en) mit Versand ab 12. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.0.756CHF.3.76
50 - 120CHF.0.693CHF.3.48
125 - 245CHF.0.651CHF.3.23
250 - 495CHF.0.599CHF.3.00
500 +CHF.0.567CHF.2.83

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-5867
Herst. Teile-Nr.:
IRFB7546PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der einfache N-Kanal-StrongIRFET-Leistungs-MOSFET von Infineon. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Breite Palette von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern mit hohem Nennstrom.

Hochstromträgergehäuse

Hohe Leistung in Niederfrequenzanwendungen

Verwandte Links