Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 75 A 330 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 784-0274
Distrelec-Artikelnummer:: 303-41-270
Herst. Teile-Nr.:: IRF2805PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 75 A 330 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 784-0274
Distrelec-Artikelnummer:: 303-41-270
Herst. Teile-Nr.:: IRF2805PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	75A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	55V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	4.7mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	330W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	150nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	16.51mm
	Länge	10.67mm
	Breite	4.83 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 55V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.7mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 330W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 16.51mm
	Länge 10.67mm
	Breite 4.83 mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 75A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 330W maximale Verlustleistung - IRF2805PBF

Dieser Leistungs-MOSFET bietet eine hervorragende Leistung für verschiedene elektronische Anwendungen. Seine robusten Spezifikationen sind für industrielle Umgebungen ausgelegt und gewährleisten sowohl Zuverlässigkeit als auch Effizienz. Mit seinem niedrigen Durchlasswiderstand unterstützt dieses Bauteil eine hohe Strombelastbarkeit und eignet sich daher für moderne Schaltungen.

Eigenschaften und Vorteile

• Unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Ableitstrom von 75 A

• Erhöht die Effizienz mit einem niedrigen RDS(on) von 4,7mΩ

• Kompatibel mit +20 V/-20 V Gate-Source-Spannung für mehr Flexibilität

• Schnelle Schaltgeschwindigkeiten zur Erfüllung dynamischer Leistungsanforderungen

• Unterstützt die wiederholte Bearbeitung von Lawinen für betriebliche Ausfallsicherheit

Anwendungsbereich

• Einsatz in industriellen Motorantrieben zur effektiven Leistungssteuerung

• Geeignet für das Energiemanagement in Automatisierungssystemen

• Einsatz in erneuerbaren Energiesystemen für effizientes Schalten

• Verwendet in leistungsstarken und langlebigen Elektrowerkzeugen

• Einsetzbar in Batteriemanagementsystemen für Elektrofahrzeuge

Welcher Temperatur kann dieses Bauteil maximal standhalten?

Er kann in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C betrieben werden und ist somit auch unter extremen Bedingungen einsetzbar.

Wie verhält sich dieser MOSFET bei Hochstromanwendungen?

Er ist für einen kontinuierlichen Drainstrom von 75 A ausgelegt und eignet sich daher für hohe Stromanforderungen.

Kann es in Anwendungen mit schnellen Schaltanforderungen eingesetzt werden?

Ja, dieser MOSFET unterstützt schnelle Schaltgeschwindigkeiten, ideal für Anwendungen, die eine dynamische Leistung erfordern.

Ist dieses Gerät für den Einsatz in Wechselrichtern geeignet?

Ja, seine thermische Stabilität und seine Fähigkeit, hohe Ströme zu verarbeiten, machen es für Wechselrichteranwendungen in erneuerbaren Energiesystemen geeignet.

Welche Auswirkungen hat der geringe On-Widerstand?

Der niedrige RDS(on) verringert die Leistungsverluste während des Betriebs und trägt zu einer verbesserten Effizienz und thermischen Leistung bei.