Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 75 A 330 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.1.218

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 99 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
  • Zusätzlich 2 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
  • Zusätzlich 712 Einheit(en) mit Versand ab 02. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.1.22
10 - 24CHF.1.18
25 - 49CHF.1.09
50 - 99CHF.1.03
100 +CHF.0.99

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
784-0274
Distrelec-Artikelnummer:
303-41-270
Herst. Teile-Nr.:
IRF2805PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

150nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

330W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Höhe

16.51mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.83 mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 75A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 330W maximale Verlustleistung - IRF2805PBF


Dieser Leistungs-MOSFET bietet eine hervorragende Leistung für verschiedene elektronische Anwendungen. Seine robusten Spezifikationen sind für industrielle Umgebungen ausgelegt und gewährleisten sowohl Zuverlässigkeit als auch Effizienz. Mit seinem niedrigen Durchlasswiderstand unterstützt dieses Bauteil eine hohe Strombelastbarkeit und eignet sich daher für moderne Schaltungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Ableitstrom von 75 A

• Erhöht die Effizienz mit einem niedrigen RDS(on) von 4,7mΩ

• Kompatibel mit +20 V/-20 V Gate-Source-Spannung für mehr Flexibilität

• Schnelle Schaltgeschwindigkeiten zur Erfüllung dynamischer Leistungsanforderungen

• Unterstützt die wiederholte Bearbeitung von Lawinen für betriebliche Ausfallsicherheit

Anwendungsbereich


• Einsatz in industriellen Motorantrieben zur effektiven Leistungssteuerung

• Geeignet für das Energiemanagement in Automatisierungssystemen

• Einsatz in erneuerbaren Energiesystemen für effizientes Schalten

• Verwendet in leistungsstarken und langlebigen Elektrowerkzeugen

• Einsetzbar in Batteriemanagementsystemen für Elektrofahrzeuge

Welcher Temperatur kann dieses Bauteil maximal standhalten?


Er kann in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C betrieben werden und ist somit auch unter extremen Bedingungen einsetzbar.

Wie verhält sich dieser MOSFET bei Hochstromanwendungen?


Er ist für einen kontinuierlichen Drainstrom von 75 A ausgelegt und eignet sich daher für hohe Stromanforderungen.

Kann es in Anwendungen mit schnellen Schaltanforderungen eingesetzt werden?


Ja, dieser MOSFET unterstützt schnelle Schaltgeschwindigkeiten, ideal für Anwendungen, die eine dynamische Leistung erfordern.

Ist dieses Gerät für den Einsatz in Wechselrichtern geeignet?


Ja, seine thermische Stabilität und seine Fähigkeit, hohe Ströme zu verarbeiten, machen es für Wechselrichteranwendungen in erneuerbaren Energiesystemen geeignet.

Welche Auswirkungen hat der geringe On-Widerstand?


Der niedrige RDS(on) verringert die Leistungsverluste während des Betriebs und trägt zu einer verbesserten Effizienz und thermischen Leistung bei.

Verwandte Links