Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 75 A 330 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 784-0274
- Distrelec-Artikelnummer:
- 303-41-270
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF2805PBF
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 16.51mm | |
| Breite | 4.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 16.51mm | ||
Breite 4.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 75A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 330W maximale Verlustleistung - IRF2805PBF
Dieser Leistungs-MOSFET bietet eine hervorragende Leistung für verschiedene elektronische Anwendungen. Seine robusten Spezifikationen sind für industrielle Umgebungen ausgelegt und gewährleisten sowohl Zuverlässigkeit als auch Effizienz. Mit seinem niedrigen Durchlasswiderstand unterstützt dieses Bauteil eine hohe Strombelastbarkeit und eignet sich daher für moderne Schaltungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Ableitstrom von 75 A
• Erhöht die Effizienz mit einem niedrigen RDS(on) von 4,7mΩ
• Kompatibel mit +20 V/-20 V Gate-Source-Spannung für mehr Flexibilität
• Schnelle Schaltgeschwindigkeiten zur Erfüllung dynamischer Leistungsanforderungen
• Unterstützt die wiederholte Bearbeitung von Lawinen für betriebliche Ausfallsicherheit
Anwendungsbereich
• Einsatz in industriellen Motorantrieben zur effektiven Leistungssteuerung
• Geeignet für das Energiemanagement in Automatisierungssystemen
• Einsatz in erneuerbaren Energiesystemen für effizientes Schalten
• Verwendet in leistungsstarken und langlebigen Elektrowerkzeugen
• Einsetzbar in Batteriemanagementsystemen für Elektrofahrzeuge
Welcher Temperatur kann dieses Bauteil maximal standhalten?
Er kann in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C betrieben werden und ist somit auch unter extremen Bedingungen einsetzbar.
Wie verhält sich dieser MOSFET bei Hochstromanwendungen?
Er ist für einen kontinuierlichen Drainstrom von 75 A ausgelegt und eignet sich daher für hohe Stromanforderungen.
Kann es in Anwendungen mit schnellen Schaltanforderungen eingesetzt werden?
Ja, dieser MOSFET unterstützt schnelle Schaltgeschwindigkeiten, ideal für Anwendungen, die eine dynamische Leistung erfordern.
Ist dieses Gerät für den Einsatz in Wechselrichtern geeignet?
Ja, seine thermische Stabilität und seine Fähigkeit, hohe Ströme zu verarbeiten, machen es für Wechselrichteranwendungen in erneuerbaren Energiesystemen geeignet.
Welche Auswirkungen hat der geringe On-Widerstand?
Der niedrige RDS(on) verringert die Leistungsverluste während des Betriebs und trägt zu einer verbesserten Effizienz und thermischen Leistung bei.
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