Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
913-3932
Herst. Teile-Nr.:
IRFB4227PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

65A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

24mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

330W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

9.02mm

Breite

4.82 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.66mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon


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