Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 650-4277
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4227PBF
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 65A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 24mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.82mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.66mm | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 24mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.82mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.66mm | ||
Höhe 9.02mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 200 V maximale Drain-Source-Spannung, 65 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFB4227PBF
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Leistungsschaltung und -steuerung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und wird in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für die herkömmliche Leiterplattenmontage geeignet ist. Das Gerät erfüllt die RoHS-Anforderungen und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine starke kontinuierliche Strombelastbarkeit und thermische Widerstandsfähigkeit erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Niedrige Rds(on) von 24 mΩ sorgt für geringere Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 330 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Gate-Ladung von 70 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• 30-V-Gate-Toleranz unterstützt robuste Gate-Drive-Margen
• Die Nenntemperatur von -40 °C bis 175 °C gewährleistet breite Betriebsumgebungen
• Die Verlustleistung von 330 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Gate-Ladung von 70 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• 30-V-Gate-Toleranz unterstützt robuste Gate-Drive-Margen
• Die Nenntemperatur von -40 °C bis 175 °C gewährleistet breite Betriebsumgebungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-Gleichstrom-Motorsteuerungen
• Ideal für Schaltnetzteile und Wandler
• Einsatz mit Batteriemanagement- und Stromverteilungssystemen
• Kann für industrielle Wechselrichterstufen verwendet werden
• Geeignet für allgemeine Stromschaltvorgänge auf Durchsteckplatinen
• Ideal für Schaltnetzteile und Wandler
• Einsatz mit Batteriemanagement- und Stromverteilungssystemen
• Kann für industrielle Wechselrichterstufen verwendet werden
• Geeignet für allgemeine Stromschaltvorgänge auf Durchsteckplatinen
Wie ist das Gehäuse und die Montageart des Geräts?
Er wird in einem TO-220-Gehäuse geliefert und ist für die Durchsteckmontage vorgesehen.
Welchen extremen Betriebstemperaturen kann er standhalten?
Er ist für den Betrieb von -40 °C bis 175 °C ausgelegt.
Wie erfüllt das Gerät die Vorschriften für Materialbeschränkungen?
Er entspricht den RoHS-Normen zur Begrenzung gefährlicher Stoffe.
Wie ist der Kanaltyp und der Leitungsmodus?
Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät, das im Enhancement-Modus arbeitet.
Was sind die Grenzwerte für die Gate- und Ablassspannung?
Das Gate ist auf ±30 V ausgelegt und der Drain-to-Source-Maximum beträgt 200 V.
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