Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 169 A 330 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 913-3831
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1405PBF
- Marke:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 913-3831
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1405PBF
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 169A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 170nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.83mm | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 169A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 170nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.83mm | ||
Höhe 8.77mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 169A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 330W maximale Verlustleistung - IRF1405PBF
Eigenschaften und Vorteile
Anwendungsbereich
Wie hoch ist die maximale Gate-zu-Source-Spannung?
Wie funktioniert das Wärmemanagement dieses Geräts?
Welche Faktoren sollten bei der Installation berücksichtigt werden?
Kann es für Schaltanwendungen verwendet werden?
Welche Gate-Ladungswerte sind im Betrieb zu erwarten?
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