Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 169 A 330 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 913-3831
Herst. Teile-Nr.:: IRF1405PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 169 A 330 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.57.25

Auf Lager

200 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	CHF.1.145	CHF.57.33
100 - 200	CHF.1.092	CHF.54.50
250 - 450	CHF.1.04	CHF.52.19
500 - 950	CHF.0.977	CHF.48.72
1000 +	CHF.0.914	CHF.45.89

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 913-3831
Herst. Teile-Nr.:: IRF1405PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	169A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	55V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	170nC
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	330W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	10.67mm
	Höhe	8.77mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4.83 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 169A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 55V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 170nC
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 330W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 10.67mm
	Höhe 8.77mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4.83 mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: PH

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 169A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 330W maximale Verlustleistung - IRF1405PBF

Dieser MOSFET ist für verschiedene Anwendungen vorgesehen und bietet eine hohe Leistung bei Power-Management-Lösungen. Mit seinen robusten Spezifikationen und fortschrittlichen Verarbeitungstechniken ist es eine Schlüsselkomponente in den Bereichen Automatisierung und Elektronik. Ihre Fähigkeit, hohe Ströme und Spannungen zu bewältigen, macht sie für zahlreiche industrielle Prozesse unverzichtbar.

Eigenschaften und Vorteile

• Maximaler kontinuierlicher Ableitstrom von 169 A verbessert die Haltbarkeit

• Ausgelegt für 55 V, um den Betrieb unter Hochspannungsbedingungen zu gewährleisten

• Niedriger Einschaltwiderstand von 5mΩ minimiert den Leistungsverlust während des Betriebs

• Schnelles Umschalten erhöht die Systemeffizienz

• Merkmale: Verbesserungsmodus für optimalen Betrieb

Anwendungsbereich

• Einsatz in industriellen Motorantrieben zur effizienten Steuerung

• Geeignet für hohe Stromstärken in Stromversorgungen

• Ideal für Automatisierungsgeräte, die Motoren antreiben

• Effektiv bei Konvertern und Wechselrichtern für erneuerbare Energiesysteme

Wie hoch ist die maximale Gate-zu-Source-Spannung?

Die maximale Gate-to-Source-Spannung beträgt ±20 V und gewährleistet einen sicheren Betrieb.

Wie funktioniert das Wärmemanagement dieses Geräts?

Er arbeitet effektiv bis zu 175°C und bietet Zuverlässigkeit unter Hochtemperaturbedingungen.

Welche Faktoren sollten bei der Installation berücksichtigt werden?

Achten Sie auf ein angemessenes Montagedrehmoment und berücksichtigen Sie den Wärmewiderstand des Kühlkörpers, um eine effiziente Leistung zu gewährleisten.

Kann es für Schaltanwendungen verwendet werden?

Ja, er verfügt über schnelle Schaltfunktionen, die für Hochgeschwindigkeitsanwendungen geeignet sind und die Reaktionszeit verkürzen.

Welche Gate-Ladungswerte sind im Betrieb zu erwarten?

Die typische Gate-Ladung beträgt 170nC bei 10 V, was schnelle Ein- und Ausschaltzeiten ermöglicht.