Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 62 A 65 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
913-4036
Herst. Teile-Nr.:
IRLB8721PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

62A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

65W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.6nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

9.02mm

Breite

4.83 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 30V maximale Drain-Source-Spannung, 62A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IRLB8721PBF


Bei diesem MOSFET handelt es sich um ein Hochleistungs-Schaltgerät, das für verschiedene Anwendungen in der Elektronik und Automatisierungstechnik geeignet ist. Das robuste TO-220AB-Gehäuse bietet eine kontinuierliche Drain-Stromkapazität von 62 A und kann eine maximale Drain-Source-Spannung von 30 V verarbeiten. Das Gerät arbeitet effizient über einen weiten Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und eignet sich damit für anspruchsvolle Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Unterstützt hochfrequente synchrone Abwärtswandler

• Effiziente Nutzung von Hochstrom

• Vollständig charakterisiert für Avalanche-Spannung und -Strom

• Minimale Gate-Ladung verbessert die Schaltleistung

• Vielseitige Montageoptionen vereinfachen die Integration in Designs

Anwendungen


• Einsatz in USV- und Wechselrichtersystemen

• Wirksam in isolierten Hochfrequenz-DC-DC-Wandlern

• Geeignet für synchrone Gleichrichtung in industriellen Lösungen

• Schlüsselkomponente in Stromversorgungen für Computerprozessoren

Welche Bedeutung hat der niedrige Rds(on) des Geräts?


Der niedrige Rds(on) senkt die Leitungsverluste erheblich und verbessert so den Gesamtwirkungsgrad in Leistungswandlungsanwendungen, was für die Aufrechterhaltung der Leistung im Hochstrombetrieb entscheidend ist.

Wie wirkt sich die maximale Gate-Schwellenspannung auf die Leistung des Bauelements aus?


Der Gate-Schwellwert-Spannungsbereich von 1,35 V bis 2,35 V gewährleistet, dass der Baustein in verschiedenen Anwendungen zuverlässig gesteuert werden kann, und bietet Flexibilität bei der Integration mit verschiedenen Treiberschaltungen.

Welche Überlegungen sollten für das Wärmemanagement in Anwendungen angestellt werden?


In Anbetracht der maximalen Verlustleistung von 65 W müssen geeignete Wärmemanagementstrategien implementiert werden, wie z. B. die Verwendung eines geeigneten Kühlkörpers, um eine Überhitzung zu vermeiden und einen zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten.

Kann dieser MOSFET in Automobilanwendungen eingesetzt werden?


Ja, er ist für den effektiven Betrieb in Hochtemperaturumgebungen ausgelegt und eignet sich daher für Anwendungen in der Automobilindustrie, bei denen thermische Schwankungen ein Problem darstellen.

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