Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 83 A 330 W, 3-Pin IRFB4228PBF TO-220

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RS Best.-Nr.:
124-9007
Herst. Teile-Nr.:
IRFB4228PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

83A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

72nC

Maximale Verlustleistung Pd

330W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

1.3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.82 mm

Höhe

8.77mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon


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