Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 130 A 330 W TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 257-5556
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4310TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 800 + | CHF 1.818 | CHF 1'453.59 |
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- RS Best.-Nr.:
- 257-5556
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4310TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 130A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 170nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 130A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 170nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons MOSFET verfügt über eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit sowie eine vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA.
Hocheffiziente Synchrongleichrichtung
Bleifrei
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