Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 64 A 130 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.45.15

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 800 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50CHF.0.903CHF.45.10
100 - 200CHF.0.683CHF.34.28
250 - 450CHF.0.641CHF.32.03
500 - 1200CHF.0.599CHF.29.77
1250 +CHF.0.546CHF.27.51

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
919-4797
Herst. Teile-Nr.:
IRFZ48NPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

64A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

81nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

130W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.54mm

Höhe

8.77mm

Breite

4.69 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 64A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 130W maximale Verlustleistung - IRFZ48NPBF


Dieser Leistungs-MOSFET eignet sich für hocheffiziente Anwendungen und zeichnet sich durch robuste Leistung und fortschrittliche Verarbeitungsmethoden aus. Er ist eine zuverlässige Option für eine Vielzahl von Elektronikdesigns, insbesondere in Szenarien, in denen die Leistungseffizienz eine wichtige Rolle spielt.

Eigenschaften und Vorteile


• Unterstützt kontinuierliche Ableitströme von bis zu 64A

• Verwendet den Anreicherungsmodus für verbesserte Schalteigenschaften

• Niedriger RDS(on) von 14mΩ verbessert die Effizienz

• Funktioniert zuverlässig in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C

• Geeignet für Gate-Source-Spannungen bis zu ±20 V

• Voller Lawinenschutz für die Sicherheit unter transienten Bedingungen

Anwendungsbereich


• Ansteuerung induktiver Lasten in Automatisierungssystemen

• Stromversorgungskreise in industriellen Geräten

• Elektrische Systeme und Leistungswandler für Kraftfahrzeuge

• DC-DC-Wandler und Stromversorgungen

• Motorsteuerung die einen hohen Wirkungsgrad erfordern

Wie hoch ist die maximale Verlustleistung?


Der Baustein kann eine maximale Verlustleistung von 130 W bewältigen, wenn er angemessen gekühlt wird, was ein effektives Wärmemanagement in Szenarien mit hoher Last gewährleistet.

Wie wirkt sich der Betriebstemperaturbereich auf die Leistung aus?


Der weite Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C erlaubt es dem Gerät, unter einer Vielzahl von Umgebungsbedingungen zuverlässig zu funktionieren.

Ist dieses Gerät mit Standard-Leiterplattenlayouts kompatibel?


Ja, er ist in einem TO-220AB-Gehäuse erhältlich, das in der Industrie üblicherweise für eine einfache Leiterplattenmontage und effiziente Wärmeableitung verwendet wird.

Welche Anwendungen profitieren am meisten von der hohen Schaltgeschwindigkeit dieses Bauteils?


Leistungs-MOSFETs mit schnellen Schaltfunktionen sind ideal für Anwendungen wie Schaltnetzteile und Hochfrequenzwandler, bei denen geringe Schaltverluste entscheidend sind.

Wie sollte das Gerät bei der Installation gehandhabt werden?


Achten Sie bei der Installation auf ein angemessenes Anzugsmoment und vermeiden Sie zu hohe Löttemperaturen. Es wird empfohlen, die üblichen Sicherheitsrichtlinien einzuhalten, um Schäden zu vermeiden.

Verwandte Links