Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 64 A 130 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-4797
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ48NPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (50 Stück, in einer Stange mit 50)*
CHF 41.40
- 200 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 0.828 | CHF 41.21 |
| 100 - 200 | CHF 0.626 | CHF 31.31 |
| 250 - 450 | CHF 0.586 | CHF 29.24 |
| 500 - 1200 | CHF 0.545 | CHF 27.22 |
| 1250 + | CHF 0.505 | CHF 25.15 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4797
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ48NPBF
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 64A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 81nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 130W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.69mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.54mm | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 81nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 130W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.69mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.54mm | ||
Höhe 8.77mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 64A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 130W maximale Verlustleistung - IRFZ48NPBF
Eigenschaften und Vorteile
Anwendungsbereich
Wie hoch ist die maximale Verlustleistung?
Wie wirkt sich der Betriebstemperaturbereich auf die Leistung aus?
Ist dieses Gerät mit Standard-Leiterplattenlayouts kompatibel?
Welche Anwendungen profitieren am meisten von der hohen Schaltgeschwindigkeit dieses Bauteils?
Wie sollte das Gerät bei der Installation gehandhabt werden?
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