Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 64 A 130 W TO-263

RS Best.-Nr.:: 258-3989
Herst. Teile-Nr.:: IRFZ48NSTRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 64 A 130 W TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 258-3989
Herst. Teile-Nr.:: IRFZ48NSTRLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	64A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	55V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.014Ω
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	130W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	81nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 55V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.014Ω
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 130W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 81nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFZ48NSTRLPBF

Die HEXFET-Leistungs-MOSFETs von Infineon von International Rectifier verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2Pak ist ein SMD-Leistungsgehäuse, das Matrizengrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistungsfähigkeit und den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in jedem vorhandenen SMD-Gehäuse. Der D2Pak ist aufgrund seines geringen internen Anschlusswiderstands für Hochstromanwendungen geeignet und kann bis zu 2,0 W in einer typischen SMD-Anwendung ableiten.

Erweiterte Prozesstechnologie

Oberflächenmontage

Flache Durchgangsbohrung

Betriebstemperatur: 175 °C

Schnelles Schalten

Vollständig lawinenbeständig

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 64 A 130 W TO-263

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