Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin IRF540NSTRRPBF TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 831-2840
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF540NSTRRPBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.46 | CHF.14.62 |
| 100 - 240 | CHF.1.386 | CHF.13.88 |
| 250 - 490 | CHF.1.271 | CHF.12.72 |
| 500 - 990 | CHF.1.092 | CHF.10.96 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 831-2840
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF540NSTRRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 44mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 130W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 71nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 44mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 130W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 71nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 9.65 mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 33A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 130W maximale Verlustleistung - IRF540NSTRRPBF
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET wurde speziell für hocheffiziente Anwendungen entwickelt und bietet eine beachtliche Leistung in verschiedenen elektronischen Systemen. Er eignet sich hervorragend für Umgebungen mit hohen Strömen, in denen Zuverlässigkeit und geringer Widerstand von entscheidender Bedeutung sind. Seine Verbesserungen machen es besonders nützlich für Branchen, die sich auf Automatisierung und Energiemanagement konzentrieren.
Eigenschaften und Vorteile
• Niedriger RDS(on) minimiert Leistungsverluste während des Betriebs
• Kontinuierliche Stromaufnahmefähigkeit von 33 A unterstützt verschiedene Anwendungen
• Breiter Gate-Source-Spannungsbereich bietet Designflexibilität
• Widersteht hohen Temperaturen bis zu 175°C
• Schnelles Schalten verbessert die Gesamteffizienz der Schaltung
• D2PAK-Design für Oberflächenmontage erleichtert die PCB-Integration
Anwendungsbereich
• Verwendung in Stromversorgungsschaltungen für die Automatisierung
• Üblicherweise in DC-DC-Wandlern für Energieeffizienz implementiert
• Geeignet für Motorantrieb die hohen Strom benötigen
• Gefunden in Stromversorgungsmodulen für die Industrieelektronik
• Geeignet für die Automobilindustrie aufgrund der robusten thermischen Leistung
Welche Bedeutung hat ein niedriger RDS(on) im Betrieb?
Ein niedriger RDS(on) reduziert die Wärmeentwicklung und verbessert die Energieeffizienz, was für die Verlängerung der Lebensdauer der Komponenten und die Senkung der Betriebskosten entscheidend ist.
Wie verhält sich der MOSFET bei höheren Temperaturen?
Er arbeitet zuverlässig bei Temperaturen bis zu 175 °C und gewährleistet Stabilität unter extremen Bedingungen, während er die Leistungsanforderungen ohne Ausfälle erfüllt.
Kann dieses Gerät gepulste Ströme verarbeiten, und wie lauten die Spezifikationen?
Er unterstützt gepulste Ableitströme von bis zu 110 A und verwaltet effektiv kurze Stromstöße mit hoher Leistung, was ihn ideal für Anwendungen mit schwankenden Lastbedingungen macht.
Welche Auswirkungen hat die angegebene Gate-Schwellenspannung?
Der Bereich der Gate-Schwellenspannung von 2V bis 4V gibt die Spannung an, die für den Beginn der Leitfähigkeit erforderlich ist, und liefert wichtige Informationen für die Integration in Steuerschaltungen.
Wie wirkt sich das D2PAK-Paket auf seine Nutzbarkeit aus?
Das D2PAK-Gehäusedesign fördert eine effiziente Wärmeableitung und vereinfacht die Oberflächenmontage, wodurch es sich für Hochleistungsanwendungen auf kompakten Leiterplatten eignet.