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    Infineon HEXFET IRF540NSTRRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    RS Best.-Nr.:
    831-2840
    Herst. Teile-Nr.:
    IRF540NSTRRPBF
    Marke:
    Infineon
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    Rechtliche Anforderungen


    Produktdetails

    N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon


    Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.



    MOSFET-Transistoren, Infineon


    Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.


    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.33 A
    Drain-Source-Spannung max.100 V
    GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.44 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.130 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Gate-Ladung typ. @ Vgs71 nC @ 10 V
    Länge10.67mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Breite9.65mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    SerieHEXFET
    Höhe4.83mm
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