Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 33 A 144 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 827-4114
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4615TRLPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 827-4114
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4615TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 42mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 26nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 144W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 9.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 42mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 144W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 9.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 150 V maximale Drain-Source-Spannung, 33 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFS4615TRLPBF
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der für die Leistungsschaltung in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für anspruchsvolle thermische Umgebungen, während er eine kontrollierte, gate-gesteuerte Schaltung für Anwendungen mit mittlerem bis hohem Strom bietet.
Merkmale und Vorteile:
• Die Drain-Source-Festigkeit von 150 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 33 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• RDS(on) von 42 mΩ minimiert Leitungsverluste bei hoher Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 26 nC ermöglicht vorhersehbare Antriebsanforderungen
• 144 W maximale Verlustleistung für erhöhte Leistungspegel
• 20 V Gate-Source-Grenzwert schützt vor übermäßiger Gate-Spannung
• 33 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• RDS(on) von 42 mΩ minimiert Leitungsverluste bei hoher Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 26 nC ermöglicht vorhersehbare Antriebsanforderungen
• 144 W maximale Verlustleistung für erhöhte Leistungspegel
• 20 V Gate-Source-Grenzwert schützt vor übermäßiger Gate-Spannung
Anwendungsbereiche
• Geeignet für DC/DC-Wandler in industriellen Netzteilen
• Ideal für Motorantriebsstufen, die einen hohen Strom erfordern
• Wird mit Batteriemanagementsystemen verwendet, die eine Hochspannungsschaltung erfordern
• Kann für synchrone Gleichrichtung in der Leistungsumwandlung verwendet werden
• Geeignet für Hochtemperatur-Leistungsmodule in rauen Umgebungen
• Ideal für Motorantriebsstufen, die einen hohen Strom erfordern
• Wird mit Batteriemanagementsystemen verwendet, die eine Hochspannungsschaltung erfordern
• Kann für synchrone Gleichrichtung in der Leistungsumwandlung verwendet werden
• Geeignet für Hochtemperatur-Leistungsmodule in rauen Umgebungen
Welche thermischen Grenzwerte regeln den langfristigen Betrieb?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Hochtemperatursystemen, bei denen erhöhte Sperrschichttemperaturen zu erwarten sind.
Welches Gehäuse und welche Art der Montage sind erforderlich?
Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf geeigneten Kupferflächen-Landmustern zur Wärmeableitung vorgesehen ist.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Treiberauswahl aus?
Mit einer typischen Gesamt-Gate-Ladung von 26 nC sollten Entwickler Treiber auswählen, die innerhalb des Ziel-Schaltzeitrahmens die erforderliche Ladung liefern, um Übergangsverluste zu begrenzen.
Welche Spannungsbeschränkungen gelten für Gate und Drain?
Die maximale zulässige Gate-Source-Spannung beträgt 20 V, während die Drain-Source-Nennspannung 150 V beträgt, wodurch sichere Betriebsgrenzen für Gate-Ansteuerung und Lasttransienten definiert werden.
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