Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 200 V / 24 A 144 W TO-263

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RS Best.-Nr.:
257-9434
Herst. Teile-Nr.:
IRFS4620TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Drain-Source-Widerstand Rds max.

77.5mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Maximale Verlustleistung Pd

144W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRFS-Serie von Infineon ist das 200-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.

Verbesserte Tor-, Lawinen- und dynamische dV/dt-Robustheit

Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinen-SOA

Verbesserte Gehäuse-Diode dV/dt und dI/dt-Fähigkeit bleifrei

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