Teile-Nr.

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 210 A TO-263

RS Best.-Nr.:: 257-9421
Herst. Teile-Nr.:: IRFS3206TRRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 210 A TO-263

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RS Best.-Nr.:: 257-9421
Herst. Teile-Nr.:: IRFS3206TRRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	210A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	15mΩ
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 210A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFS3206TRRPBF

Die IRFS-Serie von Infineon ist das 60-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.

Verbesserte Tor-, Lawinen- und dynamische dV/dt-Robustheit

Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinen-SOA

Verbesserte Gehäuse-Diode dV/dt und dI/dt-Fähigkeit bleifrei

RoHS-konform, halogenfrei

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 210 A TO-263

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