Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 210 A TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 257-9421
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS3206TRRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
CHF.1’016.80
Auf Lager
- Zusätzlich 800 Einheit(en) mit Versand ab 17. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | CHF.1.271 | CHF.1’018.08 |
| 1600 + | CHF.1.208 | CHF.966.84 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9421
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS3206TRRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 210A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 210A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFS-Serie von Infineon ist das 60-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.
Verbesserte Tor-, Lawinen- und dynamische dV/dt-Robustheit
Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinen-SOA
Verbesserte Gehäuse-Diode dV/dt und dI/dt-Fähigkeit bleifrei
RoHS-konform, halogenfrei
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 210 A TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 210 A 300 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 195 A 375 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 100 V / 180 A TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 160 A 230 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 110 A 160 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 270 A 375 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 75 V / 80 A 140 W TO-263