Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 195 A 375 W TO-263

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RS Best.-Nr.:
257-9437
Herst. Teile-Nr.:
IRFS7530TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

195A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

274nC

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRFS-Serie von Infineon ist das 60-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Optimiert für 10-V-Gate-Antriebsspannung (sog. Normalpegel)

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Kann wellenförmig gelötet werden

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