Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 270 A 375 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 257-9416
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-541
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS3006TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.9.818
Auf Lager
- Zusätzlich 632 Einheit(en) mit Versand ab 02. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.4.909 | CHF.9.82 |
| 20 - 48 | CHF.4.181 | CHF.8.35 |
| 50 - 98 | CHF.3.929 | CHF.7.86 |
| 100 - 198 | CHF.3.636 | CHF.7.27 |
| 200 + | CHF.3.394 | CHF.6.78 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9416
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-541
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS3006TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 270A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.5mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 200nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 270A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 200nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFS-Serie von Infineon ist das 60-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.
Verbesserte Tor-, Lawinen- und dynamische dV/dt-Robustheit
Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinen-SOA
Verbesserte Gehäuse-Diode dV/dt und dI/dt-Fähigkeit bleifrei
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 270 A 375 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 195 A 375 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 293 A 375 W, 8-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A 380 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 269 A 375 W, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 246 A 375 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 195 A 375 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 522 A 375 W, 6-Pin TO-263