Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 270 A 375 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 257-9415
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS3006TRLPBF
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
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- 257-9415
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS3006TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 270A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.5mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 200nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 270A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 200nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFS-Serie von Infineon ist das 60-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.
Verbesserte Tor-, Lawinen- und dynamische dV/dt-Robustheit
Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinen-SOA
Verbesserte Gehäuse-Diode dV/dt und dI/dt-Fähigkeit bleifrei
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