Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 210 A 300 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
217-2597
Herst. Teile-Nr.:
IRF3805STRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

210A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

190nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.5mm

Höhe

2.3mm

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon HEXFET ® Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Betriebstemperatur von 175 °C

Fast Switching

Wiederholte Lawine bis Tjmax erlaubt

Ohne Leitung

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