Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 831-2834P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF5305STRLPBF
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 9.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 9.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 31A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 110W maximale Verlustleistung - IRF5305STRLPBF
Dieser P-Kanal-MOSFET ist auf hocheffiziente Anwendungen zugeschnitten und zeichnet sich durch Zuverlässigkeit und Leistung aus. Er verfügt über eine Enhancement-Mode-Funktionalität, die ihn für verschiedene elektronische Schaltungen vielseitig einsetzbar macht. Mit seinen robusten Spezifikationen ist er eine geeignete Option für die Automatisierung und das Energiemanagement in elektrischen und mechanischen Umgebungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Maximaler kontinuierlicher Ableitstrom von 31 A
• Maximale Drain-Source-Spannung von 55 V
• Oberflächenmontierte Konfiguration für nahtlose Integration
• Maximale Verlustleistung von 110 W für effizienten Betrieb
• Verbesserte thermische Leistung mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C
• Niedriger Einschaltwiderstand von 60 mΩ für verbesserte Effizienz
Anwendungsbereich
• Zur Verwendung mit Motorsteuerungen
• Geeignet für Stromversorgungskreise
• Elektronisches Schalten
• Lösungen für das Energiemanagement
Was ist die maximale Gate-Schwellenspannung?
Die maximale Gate-Schwellenspannung beträgt 4 V, was eine angemessene Kontrolle beim Schaltungsentwurf ermöglicht.
Wie geht der MOSFET mit Wärme um?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 110 W ermöglicht er ein effektives Wärmemanagement in anspruchsvollen Anwendungen.
Ist dieses Produkt mit oberflächenmontierten Designs kompatibel?
Ja, er wird in einem D2PAK-Gehäusetyp geliefert, der speziell für oberflächenmontierte Anwendungen entwickelt wurde.
Wie hoch ist die Mindestbetriebstemperatur für die Funktionalität?
Das Gerät arbeitet effektiv bei einer Mindesttemperatur von -55°C und ist somit für verschiedene Umgebungen geeignet.
Wie wirkt sich der Einschaltwiderstand auf die Leistung aus?
Der niedrige maximale Drain-Source-Widerstand von 60 mΩ trägt zu einer höheren Effizienz und Leistung bei Stromversorgungsanwendungen bei.
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