Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-4924
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF5305PBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 0.919 | CHF 46.01 |
| 100 - 200 | CHF 0.717 | CHF 35.86 |
| 250 - 450 | CHF 0.667 | CHF 33.58 |
| 500 - 1200 | CHF 0.626 | CHF 31.26 |
| 1250 + | CHF 0.576 | CHF 28.99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4924
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF5305PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Breite | 4.69mm | |
| Länge | 10.54mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 8.77mm | ||
Breite 4.69mm | ||
Länge 10.54mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 31A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 110W maximale Verlustleistung - IRF5305PBF
Dieser MOSFET ist auf hocheffiziente Leistungsanwendungen zugeschnitten und bietet sowohl Flexibilität als auch Zuverlässigkeit. Durch seinen Enhancement-Mode-Betrieb eignet er sich für verschiedene Systeme, die ein kontrolliertes Schalten erfordern, insbesondere in Industrie- und Automatisierungsumgebungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Kontinuierliche Stromaufnahmekapazität von 31 A für anspruchsvolle Anwendungen
• Die Nennspannung von 55 V ermöglicht ein zuverlässiges Schalten
• Niedriger Einschaltwiderstand von 60mΩ reduziert den Leistungsverlust
• TO-220AB-Gehäusedesign verbessert die thermische Leistung
• Gate-Source-Spannungsbereich von ±20 V für vielfältige Anwendungen
• Schnelle Schaltoptimierung steigert die Effizienz des Gesamtsystems
Anwendungsbereich
• Einsatz in Motorsteuerungssystemen für einen effizienten Betrieb
• Einsetzbar in Stromversorgungsschaltungen für stabile Leistung
• Integriert in elektronische Geräte, die effektive Schaltfunktionen erfordern
• Geeignet für den Einsatz in erneuerbaren Energiesystemen
Wie groß ist der Temperaturbereich für den Betrieb?
Er arbeitet bei Temperaturen von -55°C bis +175°C und ist damit für extreme Bedingungen geeignet.
Wie wirkt sich der Pakettyp auf die Leistung aus?
Das TO-220AB-Gehäuse bietet einen geringen Wärmewiderstand und verbessert die Kühleffizienz während des Betriebs.
Kann es Anwendungen mit gepulstem Ableitstrom bewältigen?
Ja, er unterstützt gepulste Ableitströme von bis zu 110 A und gewährleistet damit eine angemessene Leistung bei transienten Anforderungen.
Um welche Art von Transistor handelt es sich?
Es handelt sich um einen P-Kanal-Si-MOSFET, der für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad optimiert ist.
Ist sie mit automatisierten Montageprozessen kompatibel?
Ja, das Durchgangslochdesign ermöglicht die Integration in automatisierte Systeme und Leiterplatten.
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