Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 165-5895
Herst. Teile-Nr.:: IRF5305STRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 165-5895
Herst. Teile-Nr.:: IRF5305STRLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	31A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	55V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	60mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	63nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	-1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	110W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	4.83mm
	Breite	9.65 mm
	Länge	10.67mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 55V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf -1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 110W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 4.83mm
	Breite 9.65 mm
	Länge 10.67mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 31A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 110W maximale Verlustleistung - IRF5305STRLPBF

Dieser P-Kanal-MOSFET ist auf hocheffiziente Anwendungen zugeschnitten und zeichnet sich durch Zuverlässigkeit und Leistung aus. Er verfügt über eine Enhancement-Mode-Funktionalität, die ihn für verschiedene elektronische Schaltungen vielseitig einsetzbar macht. Mit seinen robusten Spezifikationen ist er eine geeignete Option für die Automatisierung und das Energiemanagement in elektrischen und mechanischen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile

• Maximaler kontinuierlicher Ableitstrom von 31 A

• Maximale Drain-Source-Spannung von 55 V

• Oberflächenmontierte Konfiguration für nahtlose Integration

• Maximale Verlustleistung von 110 W für effizienten Betrieb

• Verbesserte thermische Leistung mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C

• Niedriger Einschaltwiderstand von 60 mΩ für verbesserte Effizienz

Anwendungsbereich

• Zur Verwendung mit Motorsteuerungen

• Geeignet für Stromversorgungskreise

• Elektronisches Schalten

• Lösungen für das Energiemanagement

Was ist die maximale Gate-Schwellenspannung?

Die maximale Gate-Schwellenspannung beträgt 4 V, was eine angemessene Kontrolle beim Schaltungsentwurf ermöglicht.

Wie geht der MOSFET mit Wärme um?

Mit einer maximalen Verlustleistung von 110 W ermöglicht er ein effektives Wärmemanagement in anspruchsvollen Anwendungen.

Ist dieses Produkt mit oberflächenmontierten Designs kompatibel?

Ja, er wird in einem D2PAK-Gehäusetyp geliefert, der speziell für oberflächenmontierte Anwendungen entwickelt wurde.

Wie hoch ist die Mindestbetriebstemperatur für die Funktionalität?

Das Gerät arbeitet effektiv bei einer Mindesttemperatur von -55°C und ist somit für verschiedene Umgebungen geeignet.

Wie wirkt sich der Einschaltwiderstand auf die Leistung aus?

Der niedrige maximale Drain-Source-Widerstand von 60 mΩ trägt zu einer höheren Effizienz und Leistung bei Stromversorgungsanwendungen bei.