Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 223-8457
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR5305TRL
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.52 | CHF.12.60 |
| 25 - 45 | CHF.2.195 | CHF.10.96 |
| 50 - 120 | CHF.2.069 | CHF.10.33 |
| 125 - 245 | CHF.1.911 | CHF.9.58 |
| 250 + | CHF.1.785 | CHF.8.95 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 223-8457
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR5305TRL
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der für die Automobilindustrie qualifizierte einkanalige HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon in einem D2-pak-Gehäuse. Das Mobilfunkdesign von Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er wird aufgrund der schnellen Schaltgeschwindigkeit und des robusten Geräts in der Automobilindustrie und in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt.
Advanced Planar Technology
Dynamische dV/dT-Nennleistung
175 °C Betriebstemperatur
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Ohne Leitung
RoHS-konform
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