Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 223-8457
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR5305TRL
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF 12.42
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF 2.485 | CHF 12.42 |
| 25 - 45 | CHF 2.161 | CHF 10.81 |
| 50 - 120 | CHF 2.04 | CHF 10.19 |
| 125 - 245 | CHF 1.889 | CHF 9.44 |
| 250 + | CHF 1.768 | CHF 8.83 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 223-8457
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR5305TRL
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der für die Automobilindustrie qualifizierte einkanalige HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon in einem D2-pak-Gehäuse. Das Mobilfunkdesign von Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er wird aufgrund der schnellen Schaltgeschwindigkeit und des robusten Geräts in der Automobilindustrie und in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt.
Advanced Planar Technology
Dynamische dV/dT-Nennleistung
175 °C Betriebstemperatur
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Ohne Leitung
RoHS-konform
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-263
- Infineon IRFR5305PBF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 31 A 110 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -150 V / -13 A 110 W TO-252