Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 827-4060
Distrelec-Artikelnummer:: 304-44-464
Herst. Teile-Nr.:: IRFR5305TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 827-4060
Distrelec-Artikelnummer:: 304-44-464
Herst. Teile-Nr.:: IRFR5305TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	31A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	55V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	65mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	110W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	63nC
	Durchlassspannung Vf	-1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	2.39mm
	Breite	6.22 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	6.73mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 55V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 110W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC
	Durchlassspannung Vf -1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 2.39mm
	Breite 6.22 mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 6.73mm
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 31A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 110W maximale Verlustleistung - IRFR5305TRPBF

Dieser MOSFET bietet fortschrittliche Leistung für verschiedene elektronische Anwendungen. Sein niedriger Durchlasswiderstand und seine hohe Strombelastbarkeit tragen zu einem effektiven Energiemanagement bei. Mit seinem robusten Design und seinen zuverlässigen elektrischen Eigenschaften eignet sich dieses Bauteil für verschiedene Umgebungen in Automatisierungs- und Elektroniksystemen.

Eigenschaften und Vorteile

• Geringer Einschaltwiderstand für verbesserte Effizienz

• Unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Ableitstrom von 31A

• Konzipiert für den einfachen Einsatz bei Oberflächenmontageanwendungen

• Geeignet für den Betrieb in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C

• Ermöglicht schnelle Schaltgeschwindigkeiten für verbesserte Leistung

• Ermöglicht eine maximale Verlustleistung von 110 W für verschiedene Anwendungen

Anwendungsbereich

• Verwendet in Energiemanagementsystemen

• Geeignet für Motorsteuerung

• Eingesetzt in Schaltnetzteilen für elektronische Geräte

• Einsatz in Automobilschaltungen zur Verbesserung der Effizienz

Welches sind die empfohlenen Löttechniken für den Einbau?

Verwenden Sie Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken, um optimale Ergebnisse zu erzielen und eine minimale thermische Belastung des Bauteils zu gewährleisten.

Kann es mit hohen Temperaturen umgehen?

Ja, es arbeitet effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und ist damit für extreme Bedingungen geeignet.

Welche Bedeutung hat ein niedriger RDS(on)?

Ein niedriger RDS(on) reduziert die Leistungsverluste, erhöht den Gesamtwirkungsgrad und verringert die Wärmeentwicklung während des Betriebs.

Wie kann ich ein korrektes Schaltverhalten sicherstellen?

Implementieren Sie geeignete Gate-Treiberschaltungen, um präzise Ein- und Ausschaltcharakteristiken zu erreichen, und beachten Sie dabei die vorgeschlagenen Triggerspannungen.

Ist dies mit Standard-PCB-Layouts kompatibel?

Ja, er wurde im DPAK-Gehäuse entwickelt, was eine unkomplizierte Integration in typische PCB-Designs ermöglicht, ohne dass spezielle Modifikationen erforderlich sind.