Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 913-4789
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR5305TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (2000 Stück, auf einer Rolle mit 2000)*
CHF 828.00
Auf Lager
- 2'000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | CHF 0.414 | CHF 834.26 |
| 4000 + | CHF 0.394 | CHF 791.84 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 913-4789
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR5305TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.39mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 31A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 110W maximale Verlustleistung - IRFR5305TRPBF
Dieser MOSFET bietet fortschrittliche Leistung für verschiedene elektronische Anwendungen. Sein niedriger Durchlasswiderstand und seine hohe Strombelastbarkeit tragen zu einem effektiven Energiemanagement bei. Mit seinem robusten Design und seinen zuverlässigen elektrischen Eigenschaften eignet sich dieses Bauteil für verschiedene Umgebungen in Automatisierungs- und Elektroniksystemen.
Eigenschaften und Vorteile
• Geringer Einschaltwiderstand für verbesserte Effizienz
• Unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Ableitstrom von 31A
• Konzipiert für den einfachen Einsatz bei Oberflächenmontageanwendungen
• Geeignet für den Betrieb in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C
• Ermöglicht schnelle Schaltgeschwindigkeiten für verbesserte Leistung
• Ermöglicht eine maximale Verlustleistung von 110 W für verschiedene Anwendungen
Anwendungsbereich
• Verwendet in Energiemanagementsystemen
• Geeignet für Motorsteuerung
• Eingesetzt in Schaltnetzteilen für elektronische Geräte
• Einsatz in Automobilschaltungen zur Verbesserung der Effizienz
Welches sind die empfohlenen Löttechniken für den Einbau?
Verwenden Sie Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken, um optimale Ergebnisse zu erzielen und eine minimale thermische Belastung des Bauteils zu gewährleisten.
Kann es mit hohen Temperaturen umgehen?
Ja, es arbeitet effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und ist damit für extreme Bedingungen geeignet.
Welche Bedeutung hat ein niedriger RDS(on)?
Ein niedriger RDS(on) reduziert die Leistungsverluste, erhöht den Gesamtwirkungsgrad und verringert die Wärmeentwicklung während des Betriebs.
Wie kann ich ein korrektes Schaltverhalten sicherstellen?
Implementieren Sie geeignete Gate-Treiberschaltungen, um präzise Ein- und Ausschaltcharakteristiken zu erreichen, und beachten Sie dabei die vorgeschlagenen Triggerspannungen.
Ist dies mit Standard-PCB-Layouts kompatibel?
Ja, er wurde im DPAK-Gehäuse entwickelt, was eine unkomplizierte Integration in typische PCB-Designs ermöglicht, ohne dass spezielle Modifikationen erforderlich sind.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IRFR5305PBF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 42 A 110 W, 3-Pin TO-252