Infineon IRFR5305PBF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.1’545.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 17. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +CHF.0.515CHF.1’540.35

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
170-2262
Herst. Teile-Nr.:
IRFR5305TRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

31A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

IRFR5305PBF

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

7.49 mm

Länge

6.73mm

Höhe

2.39mm

Automobilstandard

Nein

Nicht-konform

Der Infineon IRFR5305 ist der 55-V-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal in einem D-Pak-Gehäuse. Das D-Pak wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahren entwickelt.

Advanced Prozesstechnologie

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Vollständig lawinengeprüft

Ohne Leitung

Verwandte Links