Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 60 A 110 W, 3-Pin TO-252

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Distrelec-Artikelnummer:
304-44-478
Herst. Teile-Nr.:
IRLR2905ZTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

7.49 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Höhe

2.39mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon


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