Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 42 A 110 W, 3-Pin IRLR2905TRPBF TO-252

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Distrelec-Artikelnummer:
304-44-477
Herst. Teile-Nr.:
IRLR2905TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.39mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon


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