Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 85 V / 42 A 110 W IRFR2407TRPBF TO-252

RS Best.-Nr.:: 257-5841
Herst. Teile-Nr.:: IRFR2407TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 85 V / 42 A 110 W IRFR2407TRPBF TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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125 - 245	CHF.0.977	CHF.4.88
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RS Best.-Nr.:: 257-5841
Herst. Teile-Nr.:: IRFR2407TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	42A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	85V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	26mΩ
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd	110W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	74nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein
	Distrelec Product Id	304-40-537

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 85V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 26mΩ
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd 110W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 74nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein
	Distrelec Product Id 304-40-537

Datasheet - IRFR2407TRPBF

Die Leistungs-MOSFETs aus Infineons IR MOSFET-Familie basieren auf bewährten Siliziumprozessen und bieten Entwicklern ein breites Portfolio an Bauelementen für verschiedene Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, Schaltnetzteile, Beleuchtungen, Lastschalter und batteriebetriebene Anwendungen. Die Bauelemente sind in einer Vielzahl von oberflächenmontierten und durchkontaktierten Gehäusen mit Industriestandard-Footprints zur Vereinfachung des Designs erhältlich.

Planare Zellstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten

Industriestandardgehäuse für Oberflächenmontage

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 85 V / 42 A 110 W IRFR2407TRPBF TO-252

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