Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 85 V / 42 A 110 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 257-5841
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-537
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR2407TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.5.405
Auf Lager
- 2'445 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.081 | CHF.5.40 |
| 50 - 120 | CHF.0.889 | CHF.4.42 |
| 125 - 245 | CHF.0.838 | CHF.4.17 |
| 250 - 495 | CHF.0.768 | CHF.3.84 |
| 500 + | CHF.0.485 | CHF.2.43 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5841
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-537
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR2407TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 85V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 26mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 74nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 85V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 26mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 74nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFETs aus Infineons IR MOSFET-Familie basieren auf bewährten Siliziumprozessen und bieten Entwicklern ein breites Portfolio an Bauelementen für verschiedene Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, Schaltnetzteile, Beleuchtungen, Lastschalter und batteriebetriebene Anwendungen. Die Bauelemente sind in einer Vielzahl von oberflächenmontierten und durchkontaktierten Gehäusen mit Industriestandard-Footprints zur Vereinfachung des Designs erhältlich.
Planare Zellstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten
Industriestandardgehäuse für Oberflächenmontage
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 85 V / 42 A 110 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 42 A 110 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 31 A 110 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -150 V / -13 A 110 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 110 A 140 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -150 V / -13 A 110 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 56 A 110 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252