Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -150 V / -13 A 110 W TO-252

RS Best.-Nr.:: 257-9412
Herst. Teile-Nr.:: IRFR6215TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -150 V / -13 A 110 W TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 257-9412
Herst. Teile-Nr.:: IRFR6215TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-13A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-150V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	580mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd	110W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	44nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -13A
	Drain-Source-Spannung Vds max. -150V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 580mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd 110W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFR6215TRPBF

Die IRFR-Serie von Infineon ist ein -150-V-Einzel-P-Kanal-IR-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse. Die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie z. B. Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Industriestandard-Abmessungen für einfache Konstruktion erhältlich.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -150 V / -13 A 110 W TO-252

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