Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 218-3097
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6215STRLPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 218-3097
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6215STRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 290mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 290mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 9.65 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Infineon IRF-Serie mit einem P-Kanal. Dieser MOSFET nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er ist für Hochstromanwendungen geeignet.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
P-Kanal
Betriebstemperatur von 175 °C
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