Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*

CHF.26.625

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 26. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
15 - 60CHF.1.775CHF.26.63
75 - 135CHF.1.691CHF.25.31
150 - 360CHF.1.649CHF.24.78
375 - 735CHF.1.544CHF.23.16
750 +CHF.1.439CHF.21.57

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-3098
Herst. Teile-Nr.:
IRF6215STRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

290mΩ

Durchlassspannung Vf

-1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44nC

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Breite

9.65 mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Infineon IRF-Serie mit einem P-Kanal. Dieser MOSFET nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er ist für Hochstromanwendungen geeignet.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

P-Kanal

Betriebstemperatur von 175 °C

Verwandte Links

Recently viewed