Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -55 V / -42 A 170 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 260-5058
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF4905STRL
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
CHF.2'448.00
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 + | CHF.3.06 | CHF.2'448.24 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-5058
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF4905STRL
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 15.88mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 15.88mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon P-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieser Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen.
Erweiterte Prozesstechnologie
Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelles Schalten
Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -55 V / -42 A 170 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 70 A 170 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 89 A 170 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 19 A, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 170 A 300 W, 3-Pin TO-263