Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -55 V / -42 A 170 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 260-5058
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF4905STRL
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
CHF.3’436.00
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 + | CHF.4.295 | CHF.3’436.44 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-5058
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF4905STRL
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -55V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 15.88mm | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -55V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 15.88mm | ||
Breite 4.83 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon P-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieser Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen.
Erweiterte Prozesstechnologie
Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelles Schalten
Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig
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