Teile-Nr.

Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 19 A, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 262-6743
Herst. Teile-Nr.:: IRF9Z34NSTRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 19 A, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
800 - 800	CHF.0.536	CHF.430.92
1600 - 1600	CHF.0.515	CHF.409.08
2400 +	CHF.0.483	CHF.383.04

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 262-6743
Herst. Teile-Nr.:: IRF9Z34NSTRLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	19A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	55V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 55V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRF9Z34NSTRLPBF

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieses Design verfügt über Merkmale wie eine Betriebstemperatur von 175 °C und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.

Vollständig lawinenbeständig

Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 19 A, 3-Pin TO-263

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