Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 19 A, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.9.49

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 790 Einheit(en) mit Versand ab 17. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40CHF.0.949CHF.9.47
50 - 90CHF.0.899CHF.9.01
100 - 240CHF.0.859CHF.8.62
250 - 490CHF.0.828CHF.8.24
500 +CHF.0.768CHF.7.68

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
262-6744
Distrelec-Artikelnummer:
304-41-670
Herst. Teile-Nr.:
IRF9Z34NSTRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieses Design verfügt über Merkmale wie eine Betriebstemperatur von 175 °C und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.

Vollständig lawinenbeständig

Verwandte Links