Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 110 A 140 W TO-252

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RS Best.-Nr.:
257-5550
Herst. Teile-Nr.:
IRFR7540TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.8mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

140W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

86nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon hat eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit sowie eine vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA.

Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode

Bleifrei, RoHS-konform

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