Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 56 A 140 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 257-5855
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-539
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR3710ZTRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 257-5855
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-539
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR3710ZTRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 56A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 69nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 10.41mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 56A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 69nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 10.41mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175 °C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Avalanche-Wiederholungsrate. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät, das in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden kann.
Fortschrittliche Prozesstechnologie
Extrem niedriger On-Widerstand
175 °C Betriebstemperatur
Schnelles Schalten
Repetitive Avalanche bis zu Tjmax erlaubt
Mehrere Gehäuseoptionen
Bleifrei
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