Teile-Nr.

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 56 A 140 W IRFR3710ZTRPBF TO-252

RS Best.-Nr.:: 257-5855
Herst. Teile-Nr.:: IRFR3710ZTRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 56 A 140 W IRFR3710ZTRPBF TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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25 - 45	CHF.2.006	CHF.10.01
50 - 120	CHF.1.869	CHF.9.32
125 - 245	CHF.1.733	CHF.8.65
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RS Best.-Nr.:: 257-5855
Herst. Teile-Nr.:: IRFR3710ZTRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	56A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	18mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd	140W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	69nC
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	10.41mm
	Breite	2.39 mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	6.73mm
	Automobilstandard	Nein
	Distrelec Product Id	304-40-539

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 56A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd 140W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 69nC
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 10.41mm
	Breite 2.39 mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 6.73mm
	Automobilstandard Nein
	Distrelec Product Id 304-40-539

Datasheet - IRFR3710ZTRPBF

Der HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175 °C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Avalanche-Wiederholungsrate. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät, das in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden kann.

Fortschrittliche Prozesstechnologie

Extrem niedriger On-Widerstand

175 °C Betriebstemperatur

Schnelles Schalten

Repetitive Avalanche bis zu Tjmax erlaubt

Mehrere Gehäuseoptionen

Bleifrei

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 56 A 140 W IRFR3710ZTRPBF TO-252

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