Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 59 A 110 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
217-2619
Herst. Teile-Nr.:
IRFR2905ZTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

59A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Höhe

2.39mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon HEXFET ® Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Betriebstemperatur von 175 °C

Fast Switching

Wiederholte Lawine bis Tjmax erlaubt

Bleifrei

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