Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 919-5021
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU5305PBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 75 Stück)*
CHF.65.40
Auf Lager
- 3’075 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 75 + | CHF.0.872 | CHF.65.36 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-5021
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU5305PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.3 mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.3 mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 31A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 110W maximale Verlustleistung - IRFU5305PBF
Dieser MOSFET wurde für Effizienz und Zuverlässigkeit in verschiedenen elektronischen Anwendungen entwickelt. Die fortschrittlichen Verarbeitungstechniken ermöglichen einen geringen Widerstand pro Siliziumfläche, so dass sie sich für Hochleistungsschaltungen eignen. Seine robusten Eigenschaften ermöglichen eine breite Palette von Ableitstrom- und Spannungsspezifikationen und gewährleisten einen optimalen Einsatz in Automatisierungs- und elektrischen Systemen.
Eigenschaften und Vorteile
• Hohe Strombelastbarkeit von bis zu 31A
• Arbeitet effektiv im Erweiterungsmodus für verbesserte Leistung
• Niedriger statischer Drain-zu-Source-On-Widerstand für effizienten Energieverbrauch
• Breiter Gate-to-Source-Spannungsbereich von ±20 V für vielseitige Steuerung
• Belastbar mit einer Verlustleistung von bis zu 110 W
• Kompaktes TO-251 IPAK-Gehäuse erleichtert den platzsparenden Einbau
Anwendungsbereich
• Ideal für das Energiemanagement in der Unterhaltungselektronik
• Einsatz in erneuerbaren Energiesystemen zur effizienten Steuerung
• Geeignet für Strom in Elektrofahrzeugen
• Einsatz in Hochfrequenz-Schaltnetzteilen für verbesserte Leistung
Welcher Betriebstemperaturbereich kann eingehalten werden?
Das Bauteil kann in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C betrieben werden und eignet sich für verschiedene Umgebungen.
Wie wirkt sich die Installation auf die Leistung aus?
Der richtige Einbau in Anwendungen mit begrenztem Platzangebot optimiert die Wärmeableitung und erhöht so die Zuverlässigkeit und Leistung.
Was ist beim Wärmemanagement während der Nutzung zu beachten?
Aufgrund der maximalen Verlustleistung von 110 W beim Betrieb mit hohen Drain-Strömen ist die Sicherstellung angemessener Kühlmethoden entscheidend.
Welche Art von Schaltkreisen profitieren von seinen Spezifikationen?
Der niedrige Durchlasswiderstand und der hohe Nennstrom machen ihn zu einem idealen Baustein für Designs, die auf Effizienz und die Minimierung von Energieverlusten in Anwendungen wie Motorsteuerung und Stromversorgungen ausgerichtet sind.
Kann es in parallelen Konfigurationen verwendet werden?
Ja, es ist für Parallelschaltungen geeignet; es sollten jedoch Ausgleichsmethoden in Betracht gezogen werden, um eine gleichmäßige Stromverteilung zwischen den Geräten zu gewährleisten.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 11 A 38 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 71 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
- Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9,4 A 48 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
