Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 11 A 38 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 919-4911
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU9024NPBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | CHF 1.364 | CHF 102.19 |
| 150 - 300 | CHF 1.131 | CHF 84.76 |
| 375 - 675 | CHF 1.05 | CHF 78.70 |
| 750 - 1800 | CHF 0.98 | CHF 73.55 |
| 1875 + | CHF 0.909 | CHF 68.48 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4911
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU9024NPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 175mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.39mm | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 175mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.39mm | ||
Höhe 6.22mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 11A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 38W maximale Verlustleistung - IRFU9024NPBF
Dieser P-Kanal-MOSFET ist für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen vorgesehen. Er hat einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 11A und eine maximale Drain-Source-Spannung von 55V und ist damit in der Lage, große Lasten zu bewältigen und gleichzeitig Zuverlässigkeit unter verschiedenen Betriebsbedingungen zu gewährleisten. Die Durchsteckmontage ermöglicht eine nahtlose Integration in bestehende Konstruktionen und macht sie zu einer Schlüsselkomponente für Fachleute in der Automatisierung und Elektronik.
Eigenschaften und Vorteile
• Niedriger Rds(on) von 175mΩ verbessert die Energieeffizienz
• Maximale Verlustleistung von 38 W unterstützt robuste Leistung
• Ein-Transistor-Konfiguration vereinfacht Entwicklungsprozesse
• Entspricht den bleifreien Normen für umweltbewusste Anwendungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Stromversorgungen und Wandlerschaltungen
• Einsatz in Motorsteuerungssystemen für einen effektiven Betrieb
• Integriert in Batteriemanagementsysteme für verbesserte Leistung
• Anwendbar in Automobilumgebungen für zuverlässige Leistungsaufnahme
• Ideal für industrielle Automatisierungsanlagen, die robuste Leistung erfordern
Wie groß ist der Temperaturbereich für einen stabilen Betrieb?
Das Bauteil arbeitet effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und gewährleistet zuverlässige Leistung in verschiedenen Umgebungen.
Wie kann er hohe Stromlasten effizient bewältigen?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 38 W und einem niedrigen Rds(on) von 175 mΩ bewältigt er hohe Leistungslasten bei minimalem Energieverlust.
Ist sie mit einem Standard-Leiterplattenlayout kompatibel?
Ja, die Durchsteckmontage ist mit Standard-Leiterplattenlayouts kompatibel und erleichtert die einfache Integration.
Welche Kriterien sollten bei der Gate-Spannung berücksichtigt werden?
Ein Gate-Source-Spannungsbereich von -20V bis +20V bietet Flexibilität; die optimale Leistung wird bei 10 V für einen effektiven Betrieb erreicht.
Wie trägt sie zur Effizienz des Energiemanagements bei?
Der niedrige On-Widerstand und die hohe Strombelastbarkeit maximieren die Effizienz in verschiedenen Power-Management-Szenarien.
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